FLASH - энергонезависимая память
Память информация у которой не пропадает при выключении питания, прошивка
FLASH (Flash Memory) - одна из технологических разновидностей энергонезависимой перезаписываемой памяти.
Флэшка или флэш память.
Прошивка не требуется, пишится на любом компьютере
Но если возникает опрос записать информацию в специальных форматах для устройства "готек". Добро пожаловать ко мне....
Флэш память в вопросах и ответах
Устройство, занимающее промежуточное положение между
EPROM и
EEPROM, называется флэш-ППЗУ (Flash
EEPROM - программируемое ПЗУ с групповым электрическим стиранием,
флэш-память). Хотя флэш-ППЗУ стирается электрически, как и EEPROM,
записывается оно не побайтно, а целиком и однократно подобно EPROM.
Отсюда слово "флэш" (от английского flash - вспышка, мгновение) в
названии ПЗУ этого типа. Стирание флэш-памяти гораздо проще, чем у
EEPROM: оно осуществляется одним стирающим импульсом длительностью в
несколько секунд. Здесь не требуется 20 мин на стирание содержимого
памяти. Однако флэш-ППЗУ делается по технологии, близкой EPROM, чем
обеспечивается соответственно высокая степень интеграции и низкая
стоимость. Во избежание неоправданного удорожания у флэш-ППЗУ 28-й серии
удалены преобразователь программирующего напряжения и таймер
длительности программирования, имеющиеся у EEPROM, поэтому они
программируются точно так же, как EPROM.
Ячейки флэш-памяти реализуются на одном транзисторе чаще всего с
применением архитектуры ИЛИ-НЕ. Транзистор имеет два изолированных
затвора: управляющийся и плавающий. Последний способен удерживать
электроны в течение нескольких лет. В ячейке имеются так же сток и
исток. При программировании между ними, вследствие воздействия
положительного поля на управляющем затворе, появляется поток электронов.
Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают
слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и будут храниться.
При чтении низкий уровень заряда на плавающем затворе соответствует
единице, а заряд выше порогового значения - нулю.
Поведение транзистора зависит от количества электронов на плавающем
затворе. Плавающий затвор играет ту же роль, что и конденсатор в
динамическом ПЗУ, т. е. хранит запрограммированное значение. Процедуры
стирания и записи сильно изнашивают ячейку флэш-памяти, поэтому в
новейших микросхемах некоторых производителей применяются специальные
алгоритмы, оптимизирующие процесс стирания-записи, а также алгоритмы,
обеспечивающие равномерное использование всех ячеек в процессе
функционирования.
В последнее время многие компании начали выпуск микросхем флэшпамяти, в
которых одна ячейка хранит два бита. Технология хранения двух и более
бит в одной ячейке получила название MLC (multilevel cell -
многоуровневая ячейка). В технологии MLC используется аналоговая природа
ячейки памяти. Как известно, обычная однобитная ячейка памяти может
принимать два состояния - 0 или 1. Во флэш-памяти эти два состояния
различаются по величине заряда, помещённого на плавающий затвор
транзистора. В отличие от "обычной" флэшпамяти, MLC способна различать
более двух величин зарядов, помещённых на плавающий затвор, и,
соответственно, большее число состояний. При этом каждому состоянию в
соответствие ставится определенная комбинация значений бит.
Во время записи на плавающий затвор помещается количество заряда,
соответствующее необходимому состоянию. От величины заряда на плавающем
затворе зависит пороговое напряжение транзистора. Пороговое напряжение
транзистора можно измерить при чтении и определить по нему записанное
состояние, а значит и записанную последовательность бит.
Существует три основных типа доступа к флэш-памяти:
-обычный (Conventional): произвольный асинхронный доступ к ячейкам
памяти;
-пакетный (Burst): синхронный, данные читаются параллельно, блоками по
16 или 32 слова. Считанные данные передаются последовательно, передача
синхронизируется. Преимущество перед обычным типом доступа - быстрое
последовательное чтение данных. Недостаток - медленный произвольный
доступ;
-страничный (Page): асинхронный, блоками по 4 или 8 слов. Преимущества:
очень быстрый произвольный доступ в пределах текущей страницы.
Недостаток: относительно медленное переключение между страницами.
На главную страницу На предыдущую страницу На следующую страницу
О компании О документах О рекламе Меню Карта