EEPROM - многократно прошиваемые микросхемы ПЗУ с электростиранием

ПЗУ с электрическим стиранием, многократно перепрограммируемые, прошивка

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) - электрически стираемое перепрограммируемое ПЗУ. Память такого типа может стираться и заполняться данными многократно, от несколько десятков тысяч раз до миллиона.

W27C512-45 электростираемое ППЗУ емкостью 64 кбт W27C010-70 электростираемое ППЗУ емкостью 128 кбт W27C020-70 электростираемое ППЗУ емкостью 256 кбт

Пример электростираемых  ПЗУ импортного производства W27C010-70 электростираемое ПЗУ емкостью 128 кбт

ПЗУ СССР с электростиранием км558рр3 купить ППЗУ в белой керамике в золоте Продаю куплю меняю ППЗУ из СССР импорт керамические

 ПЗУ СССР с электростиранием км558рр3, ПЗУ многократное с электрическим стиранием 64кбит (8к на 8)

 

По прошивке этих микросхем писать на электронку указанную вверху сайта или на телефон писать

 

Прошивка таких микросхем чуть позже....

Алгоритмы программирования EEPROM

Программируемое ПЗУ называют электрически стираемым, если, в отличие от EPROM, оно стирается не только ультрафиолетовым излучением, но и электрическим воздействием. Новейшие чипы такой памяти снабжаются встроенными преобразователями для формирования программирующего напряжения и таймерами, задающими длительность программирующего импульса. Для записи одного байта достаточно указать адрес и данные. Если затем запустить программирование командой записи, EEPROM занесет в свой буфер адрес и данные и тотчас освободит шину данных. Дальнейшее происходит без вмешательства извне. Сначала стирается прежнее содержимое байта, а затем записывается новое. Этот процесс контролируется изнутри с целью гарантировать достаточность созданного заряда и длится 1:10 мс, как и в EPROM. У некоторых типов EEPROM в процессе программирования может заполняться не только один байт, но и целая страница емкостью 16:64 байт. Для этого страница загружается во внутреннее ОЗУ и только затем вызывается команда на программирование. Тем самым затраты времени снижаются до 30 мкс на байт.

При всей простоте и скорости процессов стирания и записи EEPROM не следует использовать в качестве ОЗУ. Допустимое количество циклов записи ограничено: в зависимости от типа памяти байт не должен перезаписываться более 104:106 раз. Если программирование происходит непрерывно, а длительность цикла составляет 1 мс, ресурс одного байта или страницы окажется исчерпанным всего за 10 с. Некоторые типы EEPROM комбинируются с ОЗУ: это позволяет переносить содержимое ОЗУ в EEPROM только при неполадках питающего напряжения, чем обеспечивается малая длительность цикла записи, не зависящая от явлений старения элементов аппаратного обеспечения.

 

 

 

На главную страницу На предыдущую страницу  На следующую страницу

Полезные ссылки

О компании О документах О рекламе Меню Карта