EPROM - многократно прошиваемые микросхемы ПЗУ с УФ стиранием
ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием, многократно перепрограммируемые, прошивка
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) - перепрограммируемое ПЗУ. Стирание содержимого производится при помощи ультрафиолетовых лучей, после облучения подобное ПЗУ готово к новому циклу записи информации (программированию). Устаревший тип памяти.
Микросхемы ППЗУ с УФ стиранием серии К573РФ - СССР и Россия
Микросхемы импортного производства
По прошивке этих микросхем писать на электронку указанную вверху сайта или на телефон писать..
Прошивка таких микросхем чуть позже....
Алгоритм прошивки микросхем EPROM с УФ стиранием
Как правило, в ППЗУ по одному адресу хранится не один бит, а целое слово из 4 или 8 разрядов, в силу чего там имеется соответствующее число информационных выходов. Если емкость ППЗУ равна, например, 1 к ? 8 бит, значит, оно хранит 1024 слов по 8 разрядов. Содержимое памяти отображается в виде таблицы программирования.
Постоянное ППЗУ с УФ стиранием
Постоянным ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием (EPROM, Erasable PROM - стираемое PROM) называют ПЗУ, которое не только программируется пользователем, но и стирается ультрафиолетовым излучением. Элементами ПЗУ здесь служат исключительно МОП транзисторы с добавочным "плавающим" затвором.
Как и у некоторых ППЗУ, он заряжается при программировании и смещает
пороговое напряжение МОП транзистора. Однако в EPROM имеется
дополнительная возможность удалять данный заряд путем облучения
ультрафиолетом в течение 20 мин. С этой целью в корпус интегральной
схемы встраивается кварцевое окошко. Большая стоимость корпуса удорожает
микросхемы EPROM по сравнению с PROM, построенными по аналогичной
технологии, но без окошка в корпусе. Поэтому при разработке аппаратуры
удобнее применять EPROM, тогда как PROM предпочтительны для серийных
изделий.
EPROM программируется по словам или побайтно при обычной 8- разрядной
организации. Для старых образцов EPROM (например, 2716, 2 К
х 8 бит)
процесс был еще проще. Использовалось программирующее напряжение Vpp =
25 В, а также требуемый адрес и маска битов, а затем для ее запоминания
на время 50 мс вызывалась необходимая команда. После этого процесс
завершался либо переходил к следующему адресу и маске битов. Таким
образом, программирование чипа EPROM емкостью 2 Кб занимало около 2 мин,
но для памяти емкостью 128 Кб требовалось уже почти 2 ч. Поскольку без
программирования не обойтись, для больших EPROM пришлось модифицировать
его технологию и алгоритм. В основе всех алгоритмов лежит представление
о возможности программирования большинства байтов EPROM за время,
существенно меньшее 50 мс. Но поскольку всегда присутствуют также
"медленные" байты, сократить общее время не получается. Поэтому
предпочитают программировать импульсами переменной длительности.
В настоящее время широкое распространение получили быстрые, или
интеллектуальные алгоритмы программирования (рис. 4). Вначале
устанавливается напряжение Vpp = 12,5 В и повышенное напряжение питания
VCC = 6 В, которое, с одной стороны, ускоряет процесс, так как
транзисторы становятся более низкоомными, а с другой - создает наихудшие
условия для верификации. Затем вызываются адрес A = 0, соответствующие
данные и начинается процедура программирования данного байта. Для этого
вспомогательный счетчик сбрасывается на n = 0. Далее выдается команда на
программирование длительностью 1 мс. После срабатывания вспомогательного
счетчика содержимое памяти считывается для проверки правильности
выполненного процесса. Если результат проверки отрицательный, выдается
новая команда на программирование. Процесс может повторяться до 24 раз,
после чего элемент памяти объявляется дефектным. Обычно требуется лишь
несколько программирующих импульсов. Но еще неясно, достаточен ли заряд
"плавающего" затвора, чтобы его хватило на 10 лет. Для гарантии
загружается троекратный заряд путем перепрограммирования длительностью
3n х 1 мс.
Быстрый алгоритм программирования EPROM
На этом завершается программирование первого байта, и процесс повторяется по очередному адресу с новыми данными. По окончании программирования включается режим считывания и еще раз проверяется правильность содержимого памяти. Благодаря быстрому алгоритму программирование EPROM емкостью 1 Мбит занимает не 2 ч, а лишь около 10 мин. Сокращая длительность программирующего импульса до 100 мкс, некоторые типы EPROM удается программировать менее чем за 1 мин.
Строение и принцип работы EPROM
На главную страницу На предыдущую страницу На следующую страницу
О компании О документах О рекламе Меню Карта